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AI INFRASTRUCTURE / OPTICAL INTERCONNECTS

数据怎样变成光，再回到电？

从电子与空穴，到激光器、硅光芯片、光纤与 AI 互联。

硅光是一套集成光子平台：可以导光、调制、滤波，也可以集成接收器。成熟通信系统通常仍需要 III–V 材料提供激光增益。接收端常见材料是锗 Ge 或 InGaAs；锗与锡 Sn 是不同元素。

核查至 2026-10-23从物理机制到制造产业链63 项原始资料 ↗
01

沿一条 IM-DD 链路看数据的旅程

以“外置连续光源 + 硅光调制 + Ge 探测”为例。点击任何环节；下文再切换发光、调制、接收和封装方案。实际链路两端通常同时具备发射与接收。

蓝色：电数据 / 电流琥珀色：光载波 / 光功率
发射 PIC · 硅波导 / 调制接收 PIC电驱动、偏置与温控（按架构配置）光纤 · 承载调制后的光InP 激光器连续光 CW电数据 / 驱动SerDes · 编码 / FEC硅调制器PN · MZI / 微环耦合器模式匹配光纤传输Ge 探测器PIN · 光 → 电流TIA / 恢复均衡 · CDR · FEC未调制的连续光 · 功率近似恒定光功率（相对）PAM4：四档功率包络 · 时间 →
1 / 7
01 · 电数据准备

计算芯片输出的是电信号，首先需要满足接口速率与信号质量。

SerDes 将并行数据变为高速串行信号。视架构，模块或主机端完成均衡、DSP、编码及FEC；驱动器再输出适合调制器的电压。不是每一种模块都内置相同DSP。

[1][14][61][54]
材料 / 器件
CMOS / SiGe 电芯片、驱动器、封装走线。
关键难点
通道损耗、抖动、串扰、功耗和FEC延迟；减少芯片不能消除信号完整性要求。
产业角色
Credo / Marvell：SerDes与DSP；Semtech：驱动、TIA及模拟前端。

PAM4 每符号承载2比特，但实际净数据率还要扣除编码与FEC开销。图中画的是光强包络，不是光载波的超快振荡。 解释性示意：不按物理尺寸、光频率或传播时间比例绘制。亮点表示光功率流动，不是单个光子的轨迹。

展开收发功能序列图
发送电芯片发射PIC光纤链路接收PIC接收电芯片① 电数据 → 驱动② 外部 / 集成激光器提供CW③ 电压 → 相位 / 吸收 → 光强④ 波导 → 耦合器 → 光纤⑤ 光场经过链路⑥ 探测器：光 → 电流⑦ TIA / 均衡 / CDR / FEC

按功能顺序展开，不按真实时间比例；连续光源可预先开启并持续供光，数据在调制环节写入。

按需查词
02

不止一套解法：把四种选择分开

器件平台、调制方式、检测方式、封装位置是四个不同维度。同一封装可以组合不同器件；同一硅光芯片也能进入可插拔模块或 CPO。

01 / 直接调制 / 吸收调制

InP DML / EML

DML 直接改变激光器注入电流来改变输出；EML 将激光器与电吸收调制器集成，调制区通过电场改变吸收。无需先把光送入一颗硅 MZI。

器件、啁啾、功率、带宽与良率共同影响链路；EML 并不等于“纯硅光”。

成熟产品家族；高速新型号需逐一核实。
[59]
02 / 发光和调制分开

CW + Si MZI / 微环

InP 连续光源供光，硅调制器写入数据。MZI 通常较宽带但占地更大；微环紧凑且便于WDM，但谐振位置需要稳定。

光源、分光、温调和耦合都要计入总功耗 / 损耗。

已有商业应用，具体光I/O系统成熟度不同。
[60][1][20]
03 / 垂直腔面发射激光器

VCSEL + 多模光纤

光从晶圆表面方向射出，可形成阵列并采用直接调制，适合某些短距互联。光纤、波长和接收器与单模 InP / 硅光链路配套不同。

不能把短距多模方案的成本与长距单模规格直接对比；模态色散与距离预算重要。

传统短距产品成熟；新的机架内应用仍需按演示 / 产品划界。
[3]
04 / Pockels 电光调制

薄膜铌酸锂 / 电光聚合物

用电场直接改变材料折射率，集成到光波导和干涉结构中；不依赖与硅载流子耗尽完全相同的机制。它替换的是调制能力，仍需光源和探测器。

要同时解决材料稳定性、耦合、异质集成、晶圆一致性和封装。

薄膜铌酸锂已有商品与制造进展；聚合物的高速和老化实验不能直接代表普遍量产或多年现场寿命。
[1][5][13]
05 / 导光平台 / 光源集成方式

SiN 与 III–V 集成

SiN 擅长低损耗导光、滤波和谐振；通常需要另集成增益、调制和接收材料。III–V 激光器可以独立封装、贴装，或键合到硅平台；直接在硅上外延是另一条工艺路线。

混合贴装、异质键合、直接外延在良率、热、缺陷与工艺成本上不同，不能混用名称。

不同集成路线处于不同阶段；不是“全面去掉 InP”。
[1]
06 / 接收端也有多种组合

Ge / InGaAs / Si，PIN / APD

Ge-on-Si 便于硅光集成；InGaAs 广泛用于近红外通信接收；Si 或 GaAs 可用于850nm等适合波段。PIN 与APD描述器件结构 / 工作方式，不是另一种元素。

APD通过倍增提高电信号，也增加噪声与偏置控制复杂度；选材要看波长、速率与系统预算。

均有成熟器件；新代高速集成型号各有认证阶段。
[4][2][10]

另一条接收路径：直接检测与相干检测

TX · 发送

电数据经过编码与所需FEC、SerDes及驱动，直接改变激光器输出光强，或用独立调制器改变连续光的强度。PAM4以四个光强等级承载每符号两比特；净速率还要扣除开销。

RX · 接收

光电探测器测量光功率，产生模拟电流；TIA转成电压，经均衡、采样与判决恢复数据，再按协议纠错。接收端不恢复完整光场相位。

光学接收结构相对简洁，但距离、色散、噪声、线性度及错误条件共同限制链路。IM-DD可以配模块DSP、RTLR或LPO，不能用有无DSP定义直接检测。

[14][21][26]
03

光和载流子，在哪一步交换能量？

PN 结中的 P 型以空穴为多数载流子，N 型以电子为多数载流子；材料总体仍接近电中性。空穴是价带中缺失电子形成的有效正电荷载流子，不是空气孔洞。

P 区吸收 / 耗尽区N 区+−+−+−+−+−+−入射光被吸收← 空穴漂移电子漂移 →负端 −正端 +光 → 载流子 → 外电路电流；不是电子穿过光纤

简化 PIN 横截面。接收时光吸收产生电子—空穴对，电场使电子向 N 侧、空穴向 P 侧运动，外电路读到光电流。发光时在适合的直接带隙材料有源区注入载流子；还需要增益、谐振腔与阈值条件才能形成激光。

[4][2][59]

拖动相位：为什么“改折射率”能改变光强？

PN 相移器分光 → 两臂相位变化 → 合束干涉输入光单端输出互补端：50% · 能量未消失
归一化输出光功率50.0%

理想、无损、对称 MZI 单一输出端：Pout / Pin = cos²(Δφ/2)。相位差并不是电子沿着光纤传输；硅 PN 相移器通常通过载流子浓度改变有效折射率，再由干涉转成强度变化。真实器件还存在插损、带宽与非线性。

[12][1]
PIN结构与InP材料，名称相似但不是一回事

PIN中的p、i、n描述掺杂结构：P区、近本征或轻掺杂区、N区。InP则是磷化铟的化学式，In为铟、P为磷。不同材料都可制成PIN器件。InGaAs/InP探测器还可让InGaAs承担吸收、InP承担衬底；在部分APD中，InP也承担雪崩倍增。结构名不能代替材料名或功能层。

[7][2]
光二极管在零偏压下也能探测

光子被吸收后产生电子—空穴对，结区的内建电场可帮助分离载流子，所以没有外加反偏也能得到光电响应。高速接收常用反偏，帮助载流子快速收集并减小结电容，但暗电流、噪声和耐压也要考虑。不能从高速链路的反偏示意，推导所有光二极管都必须反偏才能工作。

[8]
850nm接收器不只使用硅

普通Si光二极管可接收850nm附近的光，但高速多模链路也有GaAs PIN产品。1310/1550nm常见InGaAs或Ge-on-Si探测器；Ge是锗，Sn才是锡。波长、结构和集成平台是不同选择，不能建立排他配对。APD的倍增会引入额外噪声与偏压控制要求，不能仅凭“有增益”认定优于PIN。

[10][8][2][9]
贴装、键合和直接外延是不同工艺

混合集成可把分别制成的III–V激光裸片和硅光芯片组装、光耦合；异质集成可将III–V材料或裸片键合到硅上再加工；直接外延则在硅上生长III–V有源材料。文献命名有交叠，最好直接说明工艺。部分键合激光路线已有商业应用，但不能把它的量产经验直接外推到所有直接外延器件。

[1]
光纤与片上波导都导光，接口却不相同

光纤和片上波导都约束光的传播模式，但芯层尺寸、折射率差、模式分布与弯曲条件不同。片上光模不能简单对着光纤就无损传输，需要耦合器或模斑转换结构匹配。激光器的横向模式与光纤的传播模式也要分别说明。SiN擅长低损耗导光，不因此自动拥有激光增益、高速调制或探测功能。

[1][3][11]
P型和N型不表示整块材料带净电荷

施主掺杂让电子成为多数载流子，受主掺杂让空穴成为多数载流子。空穴是价带缺少电子形成的有效正载流子，并非正电子或空气孔洞。可动载流子与固定掺杂离子共同维持材料总体电中性；结区耗尽后留下的空间电荷则建立电场。探测器用光吸收产生载流子，调制器则用电信号改变光的传播或吸收，两者方向和机制不同。

[6][8][1]
04

传统模块、NPO、CPO：搬动的是光电转换的位置

CPU/GPU/交换 ASIC 是计算或交换芯片；CPO 是封装方式。下面保持收发功能相近，只改变光引擎距离 ASIC 的位置；图中距离仅表示相对关系。

PCB / 系统板（相对布局示意，不按比例）交换 ASIC电计算 / 交换光引擎PIC + EIC光源可外置虚线：CW供光数据光 → 远端较长板级电连接
ASIC → 较长板级电通道 → 前面板光模块

光电转换在前面板模块中。模块可采用 EML、硅光或其他器件方案。

[14][15]
得到什么
模块可单独更换、按端口部署，生态和维护流程成熟。
付出什么
高速电通道的损耗与均衡负担增加；模块面板密度、功耗和散热受限。
判断边界
有DSP的重定时模块、LPO与LRO是电信号处理的不同选择，并非不同的光源。

独立选择：模块里的 DSP 放在哪里？

TX · 发送方向

主机PCS/FEC与SerDes输出高速电信号；模块内均衡、时钟恢复与重定时，再由驱动器控制激光器或调制器。具体模块可另有速率转换。

RX · 接收方向

光电探测器输出电流，经TIA及模块接收处理恢复信号，再经电通道交给主机。模块DSP与主机PCS/FEC不是同一功能，不能默认模块DSP承担全部纠错。

重定时把电通道与光通道的部分损伤分段处理，增加模块处理电路和功耗。比较功耗应计入主机SerDes、光源与冷却，不能只看模块标签。

[14][21][24]

Scale-up / Scale-out 是通信组织方式

Scale-up 把加速器组织为紧密协作的计算域，强调带宽、时延和可靠性；scale-out 扩展服务器、计算域或集群。应先问“谁与谁通信、协议要求什么”，再选距离和器件，不能简单等同于机架内 / 机架外。

[16]
05

分清两本账：电功耗与光功率预算

缩短电通道可降低某些 SerDes / 均衡开销，但激光器、驱动、TIA、控制、温调和冷却仍要供电。比较 pJ/bit 必须给出系统边界、净吞吐、距离和误码条件。

① 器件 / 引擎驱动 + 调制 + TIA / DSP
② 完整链路再加两端主机 SerDes、光源、控制
③ 系统再加交换 / 计算、供电、冷却与有效利用率
[19][24]

光功率预算 · 改一项，看余量怎样变

下面只做光功率收支教学，不是器件仿真，也不预测 BER。参数为可调整假设，不对应任何厂商产品。

估算接收功率-3.0 dBm光预算余量+3.0 dB

Prx[dBm] = Ptx[dBm] − 耦合损耗[dB] − 其他损耗[dB]。余量 = Prx − 假设接收灵敏度。

余量为正只表示在这个简化功率账上有余地。真实灵敏度受速率、格式、噪声、消光比、色散、温度和FEC条件影响；正余量不证明通过误码或互通测试。

从空白晶圆到光子 Fab：展开完整制造全景 ↗

06

一块光芯片的制造，与参与其中的公司

功能工序连线是技术依赖。下面单独列出有直接公告支持的商业关系，避免把同处一条链的公司都当成已确认客户。

01

01 · 生长单晶，再制成衬底

把单晶锭切片、研磨、抛光和清洁，为后续外延提供晶体表面。衬底与其上长出的有源层、完整激光器是不同制造阶段。

材料 / 部件
InP衬底；另一条GaAs器件路线使用GaAs衬底。硅光PIC另有硅基晶圆流程。
代表企业与角色
AXT、JX Advanced Metals、住友电工体系的Sumiden Semiconductor Materials：化合物半导体衬底。
制造门槛
位错、表面杂质、厚度变化、晶向和崩边影响后续合格产出；扩大晶圆直径仍需验证质量与器件良率。
[28][29][30][32]
02

02 · 外延长出有源结构

在衬底上控制多层材料的组分、厚度和掺杂，形成量子阱等有源结构。MOCVD与MBE是不同生长方法，需按材料及产品确认。

材料 / 部件
III–V外延层、量子阱、掺杂与高纯原料；InP与GaAs量子点/量子阱路线并存。
代表企业与角色
AIXTRON：MOCVD设备，Lumentum已披露G10-AsP订单；Veeco：MBE设备，Innolume已订GEN2000。
制造门槛
温度、气流与组分均匀性、颗粒和批次重复性决定器件分布；订购反应器后还需安装、工艺匹配和认证。
[31][30][32]
03

03 · 制成激光器与有源器件

将外延晶圆加工成激光腔、调制区及电极。EML把激光器与电吸收调制器结合；CW激光器连续供光，由后续调制器写入数据。

材料 / 部件
InP平台有源结构、DFB光栅、EAM、电接触、镀膜与散热封装。
代表企业与角色
Lumentum、Coherent、住友电工SEDI：激光器及光源；Coherent披露Sherman已有六英寸InP生产平台。
制造门槛
调制区电容与调制效果、高功率效率、漏电、热和可靠性共同制约器件；新光源模块要单独核实交付阶段。
[30][38][39]
04

04 · 制造PIC和配套电芯片

代工平台提供波导、调制器、探测器及设计规则；与CMOS或SiGe电芯片共同实现高速接口。单片集成和分离芯片再封装是不同选择。

材料 / 部件
硅基光子器件；CMOS/SiGe电路；部分平台通过异质集成引入III–V增益材料。
代表企业与角色
TSMC：COUPE；GlobalFoundries：Fotonix及SiGe；Tower：硅光代工；Intel：集成激光硅光平台与已披露的OCI原型。
制造门槛
PDK模型、工艺变化、器件性能和电光接口须联合验证；逻辑工艺节点、PIC平台能力与客户量产采用应分别确认。
[33][34][35][36][37][45]
05

05 · 把光芯片和电芯片集成

以芯片堆叠、TSV、铜柱或重布线连接PIC与EIC，再规划光纤出口、供电和散热。封装位置改变，也会改变测试和维修单位。

材料 / 部件
PIC/EIC、封装基板、TSV/铜柱、重布线、散热结构及光学接口。
代表企业与角色
ASE：硅光/CPO集成方案；Amkor：封装测试服务。Amkor已披露NVIDIA先进封装合作，公告未指定CPO量产产品。
制造门槛
翘曲、热耦合、电互连寄生、光学通道和装配顺序相互约束；先识别已知良品可减少昂贵封装的报废。
[43][44]
06

06 · 对准并固定光学接口

把光纤阵列、透镜或连接器与芯片光模匹配，选择主动/被动对准及边缘/垂直耦合，再完成固定与复测。

材料 / 部件
FAU光纤阵列、透镜、耦合器、胶及TGV等载板。
代表企业与角色
天孚通信TFC：光学组件与装配；ficonTEC：自动化对准及测试设备；Fabrinet：受托精密光学制造。
制造门槛
位置和角度准确度只是起点；固定后漂移、翘曲、损耗与生产节拍共同决定良率。主动耦合性能与晶圆级可测试性需权衡。
[43][45][46][42]
07

07 · 集成为可用光模块

组合光引擎、电芯片、电路板、散热结构与固件，满足速率、距离、管理接口及客户链路要求。模块总带宽由通道与架构共同决定。

材料 / 部件
光引擎、电芯片、PCB、结构散热件、连接器和管理固件。
代表企业与角色
InnoLight/旭创科技、新易盛：光模块设计制造；Fabrinet：受托制造服务，其foundry services不是硅晶圆工艺代工。
制造门槛
高速电路、光学耦合和热管理必须一起验收；产品页面说明规格，新产品发布与重复规模交付是不同证据。
[40][41][42]
08

08 · 在各工序筛选并验收

晶圆先做电光筛选，再对装配与完整模块进行功能、误码和可靠性测试。测试贯穿制造流程，并非只在最后检查一次。

材料 / 部件
电光探针、温控台、可调激光、功率/光谱量测与误码、眼图设备。
代表企业与角色
ficonTEC：晶圆与装配测试自动化；Keysight、EXFO：量测仪器、校准和测试系统。罗博特科已并购ficonTEC相关FSG/FAG。
制造门槛
覆盖率、校准、重复性、节拍与合格成本须同时成立；静态光谱或电学通过，仍需高速链路验证。匿名采用声明不能推定客户身份。
[46][47][48][49][32]

有直接证据的商业关系

AXT→Lumentum
InP晶圆衬底与产能预留 · 已签协议

2026年7月公告预留最低年度需求产能至2031年底。两笔各4,350万美元deposit按协议分期安排并抵扣出货，不是公告日全部到账或当期收入。

[28]
AIXTRON→Lumentum
G10-AsP MOCVD外延设备 · 已披露多台订单

2026年5月双方具名确认设备订单与InP制造合作。公告证明订单关系，未逐台披露安装、客户认证或对应新增合格产出。

[31]
天孚通信 TFC→OpenLight
TGV评估板、FAU及光子组件装配 · 已披露合作及评估实物

2026年3月公告TFC设计制造含驱动器、PIC与FAU的400G EAM评估组件；此前支持100/200G每通道器件。此处是测试评估进展，未披露终端客户规模部署。

[45]
GlobalFoundries→Marvell
Vermont SiGe工艺产能 · 既有生产基础上的扩产协议

2026年9月扩展多年合作，面向可插拔、NPO及CPO的高速电路需求。公告新增的是SiGe容量，不能改称新增Fotonix晶圆订单。

[35]
Tower→NVIDIA生态
支持1.6T模块的硅光工艺平台 · 已披露生态合作

双方2026年2月确认硅光合作。Tower是代工平台提供者；公告没有把它列为完整模块品牌，也未披露独家供货或晶圆订单规模。

[36]
罗博特科→ficonTEC相关FSG/FAG
股权收购与自动化设备业务 · 2025年5月完成并购

2026半年报确认直接及间接持有FSG、FAG各100%。其产品为光子微组装、耦合与测试设备；设备客户合同中匿名的公司仍保留匿名。

[47]
材料侧 / NASDAQ: AXTI

AXT：先制造合格的晶体衬底

总部在加州Fremont，制造通过中国控股子公司进行。产品包括InP、GaAs和Ge衬底；其产业角色是材料制造，不能把晶锗衬底业务等同于硅光Ge外延探测器。

核心观察点是晶体质量、合格出货、客户认证与出口许可。供应协议不能直接推导独家关系或永久短缺。

[28][58]
器件与系统侧 / NASDAQ: LITE

Lumentum：光源、光芯片与完整连接产品

提供EML、CW激光器等光器件，并通过Cloud Light等业务扩展至高速光模块。也提供OCS光路交换，后者改变光连接路径，不能与数据调制器混为一谈。

竞争能力取决于外延、器件、封装、可靠性与客户认证共同实现；新速率型号要分别确认生产状态。

[59][60][63]阅读 Lumentum 深度报告 ↗
信号处理与连接产品 / NASDAQ: CRDO · 更新 2026-10-23

Credo：从高速电接口，到可以诊断的完整连接

是核心接口能力；Credo把它用于有源铜缆、retimer、光DSP与完整光模块。它既参与铜连接，也参与光连接。理解其产业位置，可以先看下面的功能分工。

材料 · AXT

合格晶体衬底，支撑后续器件制造。

光源 · Lumentum

EML / CW等器件提供或调制光。

连接 · Credo

处理高速电数据，协同硅光和模块；PILOT观察链路。

这是功能定位示意；箭头不代表这三家公司之间存在已披露的供货关系。

[28][60][54]
800G · 已公告可供

2026年3月：2×DR4 ZeroFlap光模块公告GA。

1.6T · 已发布新品

2026年9月：224G DSP、Kfir200硅光PIC与PILOT组合；公告未披露规模出货。

ALC · 2027计划

多通道微发射器与光纤束；50m、每端12W属于公司目标。

[51][52][53]

技术壁垒需要落到均衡、时钟恢复、固件、互通与量产一致性；诊断软件的价值要通过故障定位和持续运行来验证。完整报告进一步比较AEC与ACC、Marvell、Astera、Broadcom、Semtech，以及最新财务和客户集中风险。

阅读 Credo 深度报告 ↗
07

难点通常发生在接口，而不只在一颗芯片

热：温度改变器件，也改变光路

激光器效率和波长、微环谐振、探测器暗电流、封装应力都受温度影响。ASIC附近既热又拥挤。外置光源、热隔离、材料选择、反馈温调和液冷各处理不同问题；并非每种激光器都必须独立TEC制冷。

怎样验证看最差温度下的链路裕量、温调耗电、漂移与寿命，而非只看室温峰值。
[1][16][18]

带宽：小器件也受电学限制

调制器存在RC、驱动和光电速度约束；探测器同时受载流子渡越时间与电容限制。扩大吸收区可提高吸收，却可能牺牲速度；高速模拟电路和封装寄生也会成为瓶颈。

怎样验证看同条件下的电光 / 光电带宽、插损、驱动电压、响应度与线性度。
[4][20][12]

功耗：优化单元不等于优化全链路

低调制能量没有包括所有激光、电源损耗、控制、DSP与冷却。LPO减少模块处理，但把一部分补偿和验收要求交回主机及整个通道。

怎样验证明确每比特能量分母、双向/单向、净/毛速率、光源与温调是否计入。
[19][14][16]

误码：光到了，不代表数据对了

噪声、抖动、非线性、反射、色散与串扰会压缩判决裕量。PAM4有三只眼，电平间距小于同摆幅的两电平信号。FEC有适用门槛、纠错能力和延迟，不能替代光学预算与硬件可靠性。

怎样验证同时给出FEC前BER、FEC后错误率、测试时长、温度、距离和突发错误条件。
[14][15]

制造：从晶圆良率到整套可交付产品

III–V外延缺陷、Ge-on-Si材料缺陷、波导侧壁粗糙、键合空洞、光纤阵列位置和固化漂移都影响合格产出。复杂封装内一颗坏器件可能拖累整件成本。

怎样验证看晶圆级电/光测试、已知良品、装配前后损耗、节拍、返修与可靠性筛选。
[1][50][46][57]

系统：接口、维修和供应链同时成立

互通标准、清洁连接器、激光安全、光源冗余、失效定位与更换单位决定部署成本。多轴运动只是自动化的一部分，护城河还需光学反馈、稳定性、测试集成和量产吞吐量证明。

怎样验证问客户怎样发现故障、换什么、停机多久，是否已有重复量产与现场数据。
[50][17][15]
08

论文、标准与产品进展：分别看证据

论文性能、规范批准、产品可供与客户规模部署是不同里程碑。以下只列在核查日之前已公开的资料；不按单一带宽纪录给公司排名。

2026-10-21扩产合作已公告

Amkor与NVIDIA扩展先进封装合作

公告新增韩国容量合作，继续推进AI先进封装与测试。全文没有指定CPO产品或CPO量产规模，因此这里只记录OSAT合作进展。

[44]
2026-10-20文件发布已确认

APC发布制造、测试与光接口文件组合

官方公告列出五份制造、测试、CPO与多芯光纤文件，关注共同流程和多源供应。此处依据发布公告；未注册取得规范全文，不据此描述具体规范要求。

[50]
2026-10-16设备已订购，产能建设中

Innolume继续扩充GaAs激光器制造链

公司披露Veeco GEN2000 MBE订单及外延、加工、镀膜、封装和筛选投入。新设施计划2027年逐步爬坡，不能将规划产能列作现有产出。

[32]
2026-10-14标准草案 / 公开进度

IEEE P802.3dj仍处D3.3草案阶段

编辑报告使用D3.3，并记录第三轮SA再循环投票于9月25日开始、10月10日结束。截至核查日，这份公开进度仍对应草案；投票进展不等于最终IEEE标准已经正式发布。

[22]
2026-09-21UHP平台已生产；新模块展示

Lumentum展示八波长DWDM外置光源模块

已有UHP激光平台支撑新DWDM ELSFP；所展示OCI MSA接口模块计划2027上半年初始可供。激光芯片平台生产与新模块交付分开判断。

[38]
2026-09-16规范1.0批准

Open CPX 1.0公开高密度CPO/NPO接口

官方PDF修订历史记载v1.0于9月16日Approved，定义模块、插座及相关接口。它提供模块化与可拆装的设计依据，不证明成员厂商全部已量产，也不自动等同于在线热更换。

[17][25]
2026-09官方实施协议目录已发布

OIF目录已列1600ZR 01.0

当前官方IA目录将1600ZR 01.0列于2026年9月，已超出只有拟议项目的阶段。目录确认了版本状态；详细技术参数、具体模块量产及客户部署仍需要各自的直接证据。

[23]
2026-05-28论文 / 仅摘要与公开表格

JLT功耗比较：先统一系统边界

论文分别核算模块、主机SerDes及交换系统，说明比较结果依赖边界和配置。只取得摘要与表I—IV；其中模型及预测不是跨厂商同条件实测。在线发表为5月28日，刊期为8月15日。

[24]
2025-10-01IA目录列示 / PDF标识有差异

OIF RTLR保留发送重定时、采用线性接收

112G RTLR 01.0把模块发送与接收处理分开：发送路径保留重定时，接收路径借助主机SerDes。官方目录列为10月实施协议，但PDF封面仍带Draft字样，当前公开文档存在这一标识差异。

[21][23]
2025-07-16同行评审论文 / 实验系统

慢光硅光实验探索400Gbps/λ

Nature Communications论文展示单lane 400Gbps PAM4和8通道3.2Tbps实验，使用ANN均衡。它说明器件与信号处理协同研究的进展，不等于量产模块，也不是无DSP或完整链路通用节电的证明。

[20]
2025-04-01OIF实施协议01.0

800LR把相干接口明确用于园区链路

800LR定义单波长、无光放大、最长10km的800G相干接口，并区分串接与分段FEC架构。用途与长跨距放大DWDM接口不同；规范完成与具体模块可供、量产和客户部署仍需分别确认。

[15]
2025-03-21同行评审论文 / 仅公开摘要

PIC与EIC的3D集成研究演示

Nature Photonics论文研究以3D连接整合光子与电子芯片，面向高带宽芯片间数据链路。公开摘要支持这一路线的研究演示；光电前端指标与包含光源、数字处理和冷却的整条链路功耗属于不同系统边界。

[19]
2025-03-19100G-DR-LPO规范

LPO MSA Rev1.0仍明确依赖主机FEC

规范规定100G/lane PAM4单模链路，主机承担相关DSP SerDes与RS-FEC处理。误码及丢帧目标附有错误统计等条件；该版本不能作为所有200G/lane、所有距离或任意主机/模块互通的保证。

[14]
09

参考文献与原始技术资料

章节中的 [编号] 可跳到对应来源。机制图为原创重绘，依据下列文献解释；未转载论文图像。对仅能取得摘要或公告的资料，明确保留阅读范围。

  1. [1]
    Roadmapping the next generation of silicon photonics ↗

    Nature Communications · 2024-01-25 · 论文 · 阅读范围：正文 · 核读 2026-10-23

    定位：Fig. 2–3；E/O modulation、Laser integration、Avalanche photodetectors；Tables 1–3。DOI: 10.1038/s41467-024-44750-0。

    支持范围：硅光收发功能、硅载流子调制、激光集成方式与Ge探测器。比较表的性能截面主要为2023年；路线图不等于后续型号已量产。

  2. [2]
    Compound opto-semiconductor photosensors ↗

    Hamamatsu Photonics · 2025-12 · 公司 · 阅读范围：正文 · 核读 2026-10-23

    定位：KIRD9004E03；§1 InGaAs PIN photodiodes；§2 InGaAs APD；p.9 Fig. 2-1结构与电场，p.11 Fig. 2-6光谱响应。

    支持范围：InGaAs通信波段探测，以及InGaAs吸收层、InP倍增层和InP衬底的分工；具体响应范围与性能须按器件判断。

  3. [3]
    Datacom VCSEL — 850 nm VCSEL Arrays ↗

    Coherent · 未标发布日期 · 公司 · 阅读范围：正文 · 核读 2026-10-23

    定位：Datacom VCSEL介绍；850 nm VCSEL Arrays – Product Options及型号表。

    支持范围：850nm VCSEL商用产品、横向模式与多模光纤配套；型号目录不证明所有新架构已规模部署，也不能单凭材料推导链路距离。

  4. [4]
    3.46 Photonic Materials and Devices — Lecture 16: Detectors, Part 1 ↗

    Lionel C. Kimerling / MIT OpenCourseWare · 2006 · 教材 · 阅读范围：正文 · 核读 2026-10-23

    定位：Spring 2006，8页；p.2光生载流子与响应度；pp.3–4渡越时间/RC；pp.5–7 PIN/APD；p.8材料响应波段。

    支持范围：光电探测、速度限制与PIN/APD基本结构；P/N应理解为掺杂类型，不能按讲义简写误读为整块材料带净电荷。

  5. [5]
    HyperLight, UMC, and Wavetek Announce Strategic Partnership for High-Volume Foundry Production of TFLN Chiplet Platform ↗

    HyperLight / UMC / Wavetek（Business Wire刊发） · 2026-03-11 · 公司 · 阅读范围：公告 · 核读 2026-10-23

    定位：合作范围、6英寸客户合格制造线与8英寸生产能力段落。

    支持范围：厂商联合披露的TFLN制造与供应链阶段；不据此推导全部新模块已通过客户验证或已广泛部署。

  6. [6]
    6.012 Microelectronic Devices and Circuits — Lecture 2: Semiconductor Physics (I) ↗

    MIT OpenCourseWare · 2009 · 教材 · 阅读范围：正文 · 核读 2026-10-23

    定位：Spring 2009；pp.9–14 Doping、Donors、Acceptors；pp.15–16 Charge Neutrality。

    支持范围：电子、空穴、施主与受主，以及可动载流子和固定离子共同维持电中性；不将P/N型解释成整块材料带净电荷。

  7. [7]
    3.15.2x Electronic Materials and Devices — Photodetectors ↗

    MIT Open Learning Library · 2017 · 教材 · 阅读范围：正文 · 核读 2026-10-23

    定位：Photodetectors中PN与PIN结构说明；i区为近本征或轻掺杂区。

    支持范围：PIN结构定义。光子能量与带隙关系采用Hamamatsu技术手册，避免沿用本页相邻文字的不等号笔误。

  8. [8]
    Si photodiodes ↗

    Hamamatsu Photonics · 2025-12 · 公司 · 阅读范围：正文 · 核读 2026-10-23

    定位：KSPD9001E04；§1-1、§2-1、§2-3、§2-6；Fig.1-1/1-2结构及光生载流子，Fig.2-1光照I–V，Fig.2-8光谱响应。

    支持范围：光生电子—空穴对、零偏与反偏探测、Si光谱响应及速度/电容权衡；普通Si长波截止不能直接外推到其他探测材料。

  9. [9]
    Si APD ↗

    Hamamatsu Photonics · 2025-02 · 公司 · 阅读范围：正文 · 核读 2026-10-23

    定位：KAPD9007E02；p.1产品表，p.2 Fig.1-1；§1 Operating principle、§2-2 Gain vs. reverse voltage、§2-3 Noise characteristics。

    支持范围：雪崩倍增、偏压与噪声、850nm光通信器件；APD增益不等于更高带宽，普通线性APD不等于Geiger模式单光子探测。

  10. [10]
    SPD2025 GaAs PIN接收器产品简报 ↗

    Broadcom · 2017-03-13 · 公司 · 阅读范围：正文 · 核读 2026-10-23

    定位：单页产品简报：GaAs PIN说明及100G SR4四路约850nm信号到PIN/TIA的接收框图。

    支持范围：850nm多模链路也有GaAs PIN接收器；不把Si、Ge、InGaAs与波长建立排他的一一对应。

  11. [11]
    Anneal-free ultra-low loss silicon nitride integrated photonics ↗

    Light: Science & Applications / PMC · 2024-07-08 · 论文 · 阅读范围：正文 · 核读 2026-10-23

    定位：Introduction；Fig.1–2集成、工艺与薄/厚波导；Discussion。DOI: 10.1038/s41377-024-01503-4。

    支持范围：SiN低损耗导光、多材料集成和工艺温度限制；特定实验结构的损耗不代表所有SiN器件，非线性器件也仍需泵浦能量。

  12. [12]
    Integrated lithium niobate electro-optic modulators operating at CMOS-compatible voltages ↗

    Nature / Cheng Wang作者机构稿 · 2018-09-24 · 论文 · 阅读范围：正文 · 核读 2026-10-23

    定位：Fig.1与Mach–Zehnder工作原理；DOI: 10.1038/s41586-018-0551-y。作者稿标注2018-04-15，期刊发表日为2018-09-24。

    支持范围：MZI把两臂相位差转换为光强变化，以及LN的Pockels调制机制；不将LN写成硅PN载流子器件，论文数据不是当前量产型号规格。

  13. [13]
    High-temperature-resistant silicon-polymer hybrid modulator operating at up to 200 Gbit/s for energy-efficient datacentres and harsh-environment applications ↗

    Nature Communications · 2020-08-24 · 论文 · 阅读范围：正文 · 核读 2026-10-23

    定位：Results / SPH modulator、Fig.1材料与结构、热稳定性测试段；DOI: 10.1038/s41467-020-18005-7。

    支持范围：聚合物Pockels调制机制与特定器件高速/高温实验；不将实验老化结果等同于所有聚合物平台的现场寿命或广泛商业采用。

  14. [14]
    LPO MSA Specification Rev1.0 · 100G-DR-LPO ↗

    LPO MSA · 2025-03-19 · 标准 · 阅读范围：正文 · 核读 2026-10-23

    定位：修订历史；第8—22页，图1—3、§5.6、§7.1与表12

    支持范围：核读主机/模块分工、FEC、误码条件及距离。日期采用规范修订日，发布公告为3月25日。该版本是100G/lane单模配置，不能代指所有LPO或200G/lane规范。

  15. [15]
    OIF-800LR-01.0 · 800LR Coherent Interface ↗

    OIF · 2025-04-01 · 标准 · 阅读范围：正文 · 核读 2026-10-23

    定位：第9—15页；图1—5；第18—21页FEC与符号映射

    支持范围：核读无放大、单波长、最长10km园区相干接口的范围及客户端/FEC架构。图3区分串接与分段FEC，图4—5列发送/接收数据路径；规范批准不等于具体厂商产品量产。

  16. [16]
    OIF EEI Interoperability Demo · ECOC 2025 ↗

    OIF · 未标发布日期 · 教材 · 阅读范围：正文 · 核读 2026-10-23

    定位：第4、6、9、13—14张幻灯片

    支持范围：2025年ECOC官方演示材料；PDF未标单独发布日期。核读网络层次、可插拔/板载/共封装位置、插座及外置光源架构。目标参数和展示内容不等于最终标准或产品实测。

  17. [17]
    Open CPX Specification v1.0 ↗

    Open CPX MSA · 2026-09-16 · 标准 · 阅读范围：正文 · 核读 2026-10-23

    定位：第4页修订历史；§3—5模块/插座、功能与机械结构

    支持范围：修订历史记录v1.0于2026年9月16日Approved。核读版本、目录与结构范围；仅用于高密度可插拔CPO/NPO接口和维修边界，不将规范发布当作所有成员产品量产证明。

  18. [18]
    OIF-ELSFP-02.0 · External Laser Small Form Factor Pluggable ↗

    OIF · 2025-01-08 · 标准 · 阅读范围：正文 · 核读 2026-10-23

    定位：第8—10页；图1—3

    支持范围：核读外置可插拔激光模块、供光架构及激光器与ASIC热域分离。ELSFP是接口/封装规范，不证明每个CPO系统采用外置激光，也不提供可跨产品套用的节电比例。

  19. [19]
    Three-dimensional photonic integration for ultra-low-energy, high-bandwidth interchip data links ↗

    Nature Photonics · 2025-03-21 · 论文 · 阅读范围：摘要 · 核读 2026-10-23

    定位：公开摘要；19:502—509；DOI 10.1038/s41566-025-01633-0

    支持范围：仅依据公开摘要说明光子/电子芯片3D集成的研究演示，未以完整正文结果立论。全文访问受限；不把光电前端能量当成含激光、数字处理及冷却的完整链路功耗，也不据论文推定产品量产。

  20. [20]
    Exploring 400 Gbps/λ and beyond with AI-accelerated silicon photonic slow-light technology ↗

    Nature Communications · 2025-07-16 · 论文 · 阅读范围：正文 · 核读 2026-10-23

    定位：16:6547；摘要、引言及实验章节；DOI 10.1038/s41467-025-61933-5

    支持范围：全文公开并已核读。研究展示单lane 400Gbps PAM4和8通道3.2Tbps实验，使用ANN均衡。属于实验系统，不证明通用无DSP模块、量产交付或同口径完整链路节电。

  21. [21]
    OIF-EEI-112G-RTLR-01.0 · Retimed Transmitter Linear Receiver ↗

    OIF · 2025-10-01 · 标准 · 阅读范围：正文 · 核读 2026-10-23

    定位：摘要；§1—3；第13—14页图1—2

    支持范围：核读发送重定时、接收线性及主机接收处理。官方IA目录将01.0列为2025年10月实施协议，但下载PDF封面仍写Draft Implementation Agreement；保留这一文档标识差异。

  22. [22]
    IEEE P802.3dj D3.3 · Chief Editor’s Report ↗

    IEEE 802.3 · 2026-10-14 · 标准 · 阅读范围：正文 · 核读 2026-10-23

    定位：封面及Activities since D3.2；第三轮SA recirculation记录

    支持范围：公开编辑进度报告，确认D3.3及2026年9月25日至10月10日的再循环投票。它不是最终标准正文，不能把此报告表述为IEEE已正式发布P802.3dj标准。

  23. [23]
    OIF · Implementation Agreements目录 ↗

    OIF · 未标发布日期 · 标准 · 阅读范围：公告 · 核读 2026-10-23

    定位：Coherent、Energy Efficient Interfaces、Management Interface Specifications栏目

    支持范围：读取截至核查日的官方目录。仅据目录确认1600ZR 01.0列于2026年9月，及RTLR、800LR等版本日期；未据目录推导1600ZR详细参数或具体产品交付。

  24. [24]
    Data Center Switch Power Consumption Comparison Between Co-Packaged Optics and Pluggable Transceivers ↗

    Journal of Lightwave Technology / IEEE、Optica · 2026-05-28 · 论文 · 阅读范围：摘要 · 核读 2026-10-23

    定位：公开摘要与表I—IV；DOI 10.1109/JLT.2026.3697988

    支持范围：只读公开摘要和表格，正文/图未取得。在线发表5月28日，刊期8月15日，44(16):7158—7164。表格包含条件化系统模型及预测，不是不同厂商同条件整机实测。

  25. [25]
    OIF-Co-Packaging-3.2T-Module-01.0 ↗

    OIF · 2023-03-29 · 标准 · 阅读范围：正文 · 核读 2026-10-23

    定位：机械章节；图12—18模块、锁扣及插座结构

    支持范围：核读模块与插座机械结构，作为存在插座式CPO设计的证据；不将可拆装等同于在线热更换，不推断所有CPO系统的维修方式。

  26. [26]
    What is coherent optics? ↗

    Ciena · 未标发布日期 · 公司 · 阅读范围：正文 · 核读 2026-10-23

    定位：From one dimension to many、图1—4、DSP说明

    支持范围：核读IM-DD与相干检测、本振、幅度/相位/偏振及数字色散补偿的解释。页面未标发布日期；仅用于机制，不采用其跨代节电宣传作为横向产品比较。

  27. [27]
    LPO Technology: System Integration Insights, Progress, and Challenges ↗

    Optica / OFC 2025 · 未标发布日期 · 论文 · 阅读范围：摘要 · 核读 2026-10-23

    定位：Tu2C.2公开摘要；会议2025年3月30日至4月3日

    支持范围：Yi Tang、Fabio Bottoni；只读摘要，全文受限。用于说明去除模块重定时器后的系统集成与互操作挑战；未核读实验细节或图号，未把会议日期作为精确发表日。

  28. [28]
    AXT Announces Long-Term Supplier Agreement with Lumentum ↗

    AXT / SEC · 2026-07-29 · 监管 · 阅读范围：公告 · 核读 2026-10-23

    定位：公告正文第1、3、4段；About AXT

    支持范围：InP衬底供货与产能预留、两笔分期deposit及出货抵扣；不是当期收入或唯一供应商证明。

  29. [29]
    InP Substrates ↗

    JX Advanced Metals · 未标发布日期 · 公司 · 阅读范围：正文 · 核读 2026-10-23

    定位：Lineup；Features中的Flatness Map、EPD map及SIMS Depth Profile

    支持范围：衬底尺寸、平整度、位错、表面杂质及崩边控制；产品能力不证明特定客户采用。

  30. [30]
    Effectively Responding to Market Demands with New Devices ↗

    Sumitomo Electric · 未标发布日期 · 公司 · 阅读范围：正文 · 核读 2026-10-23

    定位：Vol.27；EML/CW-LD结构图；Compound Semiconductor Substrates章节

    支持范围：住友电工体系的晶体生长与切片、EML电容权衡及CW外延漏电控制；页面未标具体发布日期。

  31. [31]
    AIXTRON receives multiple orders for G10-AsP MOCVD Systems from Lumentum ↗

    AIXTRON · 2026-05-19 · 公司 · 阅读范围：公告 · 核读 2026-10-23

    定位：公告正文前5段及Lumentum Fab Operations负责人引述

    支持范围：具名MOCVD订单、外延均匀性与设备能力；设备支持六英寸不等于客户所有产品已完成认证。

  32. [32]
    Innolume Expands Manufacturing Capacity and Strengthens Vertical Integration in Dortmund ↗

    Innolume · 2026-10-16 · 公司 · 阅读范围：公告 · 核读 2026-10-23

    定位：Increasing Epitaxial Production Capacity；Upgrading the Existing Production Facility

    支持范围：Veeco GEN2000 MBE订单用于GaAs量子点/量子阱路线；区分已安装设备、订单和2027年爬坡计划。

  33. [33]
    TSMC Debuts A13 Technology at 2026 North America Technology Symposium ↗

    TSMC · 2026-04-22 · 公司 · 阅读范围：公告 · 核读 2026-10-23

    定位：PDF第2页，TSMC 3DFabric章节最后一项

    支持范围：COUPE on substrate的2026年生产计划及200Gb/s微环调制；公告未给具体客户量产验收结果。

  34. [34]
    Next-gen GF Fotonix: Redefining Flexibility, Bandwidth Upgrades & Full Turnkey Support ↗

    GlobalFoundries · 2025-03-26 · 公司 · 阅读范围：正文 · 核读 2026-10-23

    定位：Extreme flexibility；Doubling the bandwidth

    支持范围：光子与RF CMOS流程、200G/λ、PDK器件、耦合器和TSV选项；工艺选项不代表每位客户采用。

  35. [35]
    GlobalFoundries and Marvell expand collaboration for next-generation optical connectivity ↗

    GlobalFoundries / Marvell · 2026-09-17 · 公司 · 阅读范围：公告 · 核读 2026-10-23

    定位：正文前5段

    支持范围：扩充Vermont的SiGe产能并建立在既有生产上；不能改称新增Fotonix晶圆订单。

  36. [36]
    Tower Semiconductor Teams with NVIDIA to Advance AI Infrastructure with 1.6T Data Center Optical Modules ↗

    Tower Semiconductor · 2026-02-05 · 公司 · 阅读范围：公告 · 核读 2026-10-23

    定位：正文前三段及NVIDIA Gilad Shainer引述

    支持范围：具名硅光生态合作；Tower提供代工平台，不等于销售完整模块或独占NVIDIA供货。

  37. [37]
    Intel Demonstrates First Fully Integrated Optical I/O Chiplet ↗

    Intel · 2024-06-26 · 公司 · 阅读范围：公告 · 核读 2026-10-23

    定位：How It Works；What’s Next

    支持范围：集成激光PIC/EIC及OCI演示；原文明确当时为原型，不能从既有硅光出货推定OCI量产。

  38. [38]
    Lumentum to Demonstrate DWDM ELSFP Laser Module for OCI MSA Applications at ECOC 2026 ↗

    Lumentum · 2026-09-21 · 公司 · 阅读范围：公告 · 核读 2026-10-23

    定位：八波长模块参数、UHP平台及initial availability段落

    支持范围：UHP平台已生产；所展示新DWDM模块计划2027上半年初始可供，不是已全面量产交付。

  39. [39]
    Coherent Announces a CHIPS Letter of Intent for $50 Million to Expand World-Leading Manufacturing Facility for AI Infrastructure ↗

    Coherent · 2026-06-16 · 公司 · 阅读范围：公告 · 核读 2026-10-23

    定位：Expanding the Foundation of AI Infrastructure；扩产描述

    支持范围：公司披露Sherman已有六英寸InP生产平台；四倍晶圆产能是扩建目标，补助意向不是已拨款。

  40. [40]
    1.6T-DR8 OSFP224 ↗

    InnoLight / 旭创科技 · 未标发布日期 · 公司 · 阅读范围：正文 · 核读 2026-10-23

    定位：产品概述

    支持范围：8×200G PAM4电光通道、单模链路及管理接口规格；不证明客户和交付规模。

  41. [42]
    Optical Communications ↗

    Fabrinet · 未标发布日期 · 公司 · 阅读范围：正文 · 核读 2026-10-23

    定位：开头三段；Capabilities；Experience

    支持范围：精密光学受托制造、主动/被动对准与NPI到量产；这里的foundry services不是硅晶圆代工。

  42. [43]
    Advanced Packaging Evolution: Chiplet and Silicon Photonics-CPO ↗

    ASE · 2025-01-06 · 公司 · 阅读范围：正文 · 核读 2026-10-23

    定位：Complex Assembly Process流程图；EIC/PIC Integration；Fiber to PIC Assembly Solutions

    支持范围：芯片堆叠、TSV/铜柱、翘曲与光纤耦合取舍；公司路线判断不是行业唯一选择或特定客户订单。

  43. [44]
    Amkor Technology and NVIDIA Advance Strategic Partnership for AI Infrastructure ↗

    Amkor · 2026-10-21 · 公司 · 阅读范围：公告 · 核读 2026-10-23

    定位：正文前五段及Forward-Looking Statement Disclaimer

    支持范围：具名先进封装测试、韩国扩产合作；全文未指定CPO产品或CPO量产规模。

  44. [45]
    OpenLight and TFC Advance Silicon Photonics Back End Integration Supporting up to 400G Data Rates on TGV Substrate ↗

    OpenLight / 天孚通信 · 2026-03-17 · 公司 · 阅读范围：公告 · 核读 2026-10-23

    定位：正文第1—7段；OLP-PM13306评估板说明

    支持范围：TFC设计制造TGV评估板、FAU及组件装配；支持400G EAM测试不等于终端客户规模部署。

  45. [46]
    ficonTEC releases innovative wafer-level test cell to complement existing ATE ↗

    ficonTEC · 2025-03 · 公司 · 阅读范围：正文 · 核读 2026-10-23

    定位：产品正文；双面晶圆测试设备图及CPO制造流程图

    支持范围：300mm双面电光测试、六轴主动光对准和校准；采用声明未具名，不能猜测具体客户。

  46. [47]
    罗博特科2026年半年度报告 ↗

    罗博特科 / 巨潮资讯 · 2026-08-26 · 监管 · 阅读范围：正文 · 核读 2026-10-23

    定位：文内第9页业务、第19页境外资产、第35—36页合同

    支持范围：已读上述章节：2025年5月并购、FSG/FAG各100%直接及间接持股；匿名合同不能推断客户身份。

  47. [48]
    NX5402A Silicon Photonics Wafer Test System Solution Set ↗

    Keysight · 未标发布日期 · 公司 · 阅读范围：正文 · 核读 2026-10-23

    定位：One-pass Silicon Photonics testing；Guaranteed performance by system calibration and diagnostics

    支持范围：官网正文中的组合电光测试及探针位置/角度校准；产品能力不证明特定模块厂采购。

  48. [49]
    Automated photonic integrated circuit testing ↗

    EXFO · 未标发布日期 · 公司 · 阅读范围：正文 · 核读 2026-10-23

    定位：OPAL-SD/MD/EC；Comprehensive testing for integrated photonics development and production

    支持范围：单芯片/多芯片/晶圆测试、光谱及BER/眼图测试能力；没有指定客户量产采用证据。

  49. [50]
    APC Announces Portfolio of Specifications and Best Practice Documents to Accelerate High Volume Manufacturing of Optical Networking Gear ↗

    Advanced Photonics Coalition · 2026-10-20 · 标准 · 阅读范围：公告 · 核读 2026-10-23

    定位：五项文件清单及发布范围说明

    支持范围：完整公告确认制造/测试/CPO/多芯光纤文件发布；未注册下载，不声称读过规范正文或其具体要求。

  50. [51]
    800G ZeroFlap Optical Transceivers: General Availability ↗

    Credo · 2026-03-17 · 公司 · 阅读范围：公告 · 核读 2026-10-23

    定位：首段GA；Product Availability

    支持范围：800G 2×DR4可供与诊断能力；不外推全部速率。

  51. [52]
    224G-Based 1.6T ZeroFlap Optical Transceivers ↗

    Credo · 2026-09-15 · 公司 · 阅读范围：公告 · 核读 2026-10-23

    定位：首段；Product Highlights

    支持范围：DSP、Kfir200硅光PIC与PILOT组合；未披露客户出货规模。

  52. [53]
    1.6T ZeroFlap Active Light Cable ↗

    Credo · 2026-10-12 · 公司 · 阅读范围：公告 · 核读 2026-10-23

    定位：News Highlights；shipping in 2027

    支持范围：微发射器并行NRZ架构；50m、每端12W为目标，2027为计划出货。

  53. [54]
    High-Speed Connectivity Products ↗

    Credo · 未标发布日期 · 公司 · 阅读范围：正文 · 核读 2026-10-23

    定位：SerDes、DSP与连接产品目录

    支持范围：公司在电信号处理与完整连接产品的角色；不证明指定上下游供货。

  54. [55]
    Optical Fiber Product Portfolio ↗

    Corning · 未标发布日期 · 公司 · 阅读范围：正文 · 核读 2026-10-23

    定位：光纤产品目录

    支持范围：光纤产品角色，不代表指定AI集群采用。

  55. [56]
    Communication Optical Fibre ↗

    YOFC / 长飞 · 未标发布日期 · 公司 · 阅读范围：正文 · 核读 2026-10-23

    定位：通信光纤产品目录

    支持范围：单模、多模等产品角色；不按目录推导客户关系或市场份额。

  56. [57]
    Active Photonics Alignment Systems ↗

    PI · 未标发布日期 · 公司 · 阅读范围：正文 · 核读 2026-10-23

    定位：多通道对准、位置控制与搜索算法

    支持范围：主动光学对准能力。未将厂商速度、重复性宣传转为独立客户实测结论。

  57. [58]
    AXT 2026 Q2 Form 10-Q ↗

    AXT / SEC · 2026-08-13 · 监管 · 阅读范围：正文 · 核读 2026-10-23

    定位：Overview；Manufacturing；Export permit risk

    支持范围：产品、控股制造布局和出口许可风险；衬底与完整光器件区分。

  58. [59]
    EMLs: The Unsung Heroes Powering AI’s Digital Arteries ↗

    Lumentum · 2026-02-10 · 公司 · 阅读范围：正文 · 核读 2026-10-23

    定位：Understanding EML Technology；结构示意

    支持范围：DFB与EAM分工；EML材料及工作方式。性能与制造陈述为公司披露。

  59. [60]
    How Optical Connectivity Is Evolving for Scale-Out AI Networks ↗

    Lumentum · 2026-08-25 · 公司 · 阅读范围：正文 · 核读 2026-10-23

    定位：Matching Lumentum’s Portfolio to Scale-Out Constraints

    支持范围：CW供光、硅光调制与不同封装位置。

  60. [61]
    Data Center Signal Integrity Products ↗

    Semtech · 未标发布日期 · 公司 · 阅读范围：正文 · 核读 2026-10-23

    定位：Data Center产品与光前端

    支持范围：TIA、驱动器及光/铜模拟前端角色，不证明指定客户采用。

  61. [62]
    TeraPHY Optical I/O Chiplet ↗

    Ayar Labs · 未标发布日期 · 公司 · 阅读范围：正文 · 核读 2026-10-23

    定位：产品工作方式

    支持范围：光I/O芯粒的功能与系统位置；不是AI矩阵计算芯片。

  62. [63]
    Lumentum Completes Cloud Light Acquisition ↗

    Lumentum · 2023-11-07 · 公司 · 阅读范围：公告 · 核读 2026-10-23

    定位：交易完成及产品组合

    支持范围：高速光模块业务扩展与当时商业阶段。

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Steven Guan · Research · 2026

基础原理、公司披露与研究判断分别呈现；性能纪录保留原文条件。原产业报告日期与本页更新日期独立。